制造商产品编号:
TSM055N03EPQ56 RLG
Product Overview
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件编号:
TSM055N03EPQ56 RLG-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
详细描述:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
库存:
135 件 新原装 现货
12899883
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TSM055N03EPQ56 RLG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.1 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1210 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PDFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
TSM055
数据表和文档
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
TSM055N03EPQ56RLGDKR
TSM055N03EPQ56 RLGDKR-DG
TSM055N03EPQ56 RLGTR-DG
TSM055N03EPQ56 RLGDKR
TSM055N03EPQ56 RLGTR
TSM055N03EPQ56RLGCT
TSM055N03EPQ56 RLGCT
TSM055N03EPQ56 RLGCT-DG
TSM055N03EPQ56RLGTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
GSFP0380
制造商
Good-Ark Semiconductor
可用数量
6000
部件编号
GSFP0380-DG
单价
0.16
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
BSC060P03NS3EGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
10343
部件编号
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
单价
0.43
替代类型
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